Advances in Porous Semiconductor Research
Objektkategorie:
Elektronische Ressource
Person/Institution:
Verlag:
Frontiers Media SA
Veröffentlichungsort:
Erscheinungsort nicht ermittelbar
Entstehungszeit:
2020
Umfang, Illustration, Format:
1 Online-Ressource (183 p.)
Sprache:
Englisch
Bereitstellende Institution:
Weitere Objektinformationen
Abstract:
Since the discovery of the luminescent properties of porous Si by L. Canham in 1990, the anodization process has attracted enormous interest for the fabrication of porous semiconductors. To date, this technique has been widely used to design new materials with advanced physico-chemical properties for many applications in optics, microelectronics, energy, biology and medicine
Objekttext:
English
Zugriff und Nutzungsmöglichkeiten
Kontaktinformationen
Universität Erfurt
Forschungsbibliothek Gotha
Schloss Friedenstein
Schlossplatz 1
99867 Gotha
+49 361 737-5540
bibliothek.gotha(at)uni-erfurt.de
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Administrative Angaben
Datensatz angelegt am:
2023-04-13
Zuletzt geändert am:
2022-03-09
In Portal übernommen am:
2023-04-13
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